Производство микроэлектронных устройств в нынешнее время сталкивается с трудностями обработки и манипулирования полупроводниковыми нанокристаллами, которые используются в производстве микрочипов и других электронных приборов. Эти нанокристаллы, размерами менее 100 мкм., обычно приклеивают к липкой пленке и затем иглой эжектора отделяют их по одному, после этого кристалл всасывается вакуумным пинцетом. Такой технологический процесс требует очень большой точности позиционирования рабочих инструментов, и при любой неточности, кристаллы получают механические повреждения вследствие чего они выходят из строя. Так же традиционный техпроцесс обработки кристаллов малой величины подвергает кристаллы влиянию агрессивных веществ, находящихся в окружающей среде и влиянию статических электрических зарядов, что пагубно влияет на качество производимой продукции.