Представители компании GlobalFoundries, одного из самых известных производителей электронных полупроводниковых чипов мирового уровня, объявили, что специалистам компании удалось успешно создать первые кремниевые подложки, рассчитанные на 20-нм технологический процесс, с интегрированными переходными токопроводящими отверстиями (Through-Silicon Vias, TSV), которые
являются ключевыми элементами при создании многослойных трехмерных полупроводниковых чипов. Эти подложки были изготовлены на наиболее высокотехнологичном опытном участке фабрики Fab 8 компании GlobalFoundries , располагающейся в городе Саратога, по передовому технологическому процессу 20nm-LPM, который впоследствии будет использоваться для изготовления трехмерных чипов нового поколения, обладающих высочайшей производительностью, низким потреблением энергии и низким количеством выделяемого тепла.