Ученые из Еврейского университета (Hebrew University), Иерусалим, и Научного института Вайцмана (Weizmann Institute of Science) разработали новую достаточно простую технологию намагничивания материалов, которая может избавить от необходимости использования постоянных и электрических магнитов в устройствах магнитной записи и хранения данных. Помимо этого, структура новых ячеек магнитной памяти совместима с существующими технологическими процессами производства полупроводников, что позволит создать недорогие кремниевые универсальные устройства памяти, обладающие чрезвычайно высоким показателем плотности хранения информации.