Структура некоторых обычных кремниевых транзисторов способна выдержать нагрев до температуры в 350 градусов по шкале Цельсия, при более высокой температуре структура транзисторов уже претерпевает необратимые изменения. Поэтому для работы в условиях высокой температуры используются транзисторы из других полупроводниковых материалов, к примеру, карбида кремния, который выдерживает нагрев до 550 градусов. Но существует еще один вид транзисторов - плазменные транзисторы, которые были разработаны около пяти лет назад и которые работают при температурах, сопоставимых с температурой в активной зоне ядерных реакторов, при этом, на их работу практически не влияет радиоактивное ионизирующее излучение. И недавно группа исследователей из университета Юты создала миниатюрные плазменные транзисторы, размеры которых в 500 раз меньше чем размеры подобных транзисторов, созданных в более ранний период.