Ни для кого не является секретом, что приблизительно к 2020 году электроника, основанная на кремниевых полупроводниках, достигнет пределов, после которых из-за физических ограничений будет невозможно уменьшать размеры транзисторов и наращивать их быстродействие. Для преодоления этой граничной черты потребуются совершенно новые технологии, которые позволят продолжать миниатюризацию электроники, выдерживая темпы, диктуемые темпами развития современных технологий. Одним из перспективных методов является использование полевых транзисторов (field-effect transistor, FET) на основе углеродных нанотрубок (carbon nanotube, CNT). Созданные на текущий момент опытные образцы таких транзисторов обладают потрясающими характеристиками, а их размеры составляют нанометры. Тем не менее, на сегодняшний день еще не существует технологий, которые позволял наладить производство "нанотрубочных" транзисторов (CNT-FET) в промышленных масштабах.