Для того, чтобы соблюсти выполнение закона Гордона Мура, инженеры постоянно стараются уменьшить габариты компонентов, из которых состоят кристаллы чипов. Основным таким компонентом является полевой транзистор, состоящий из канала и управляющего затвора, который отделяется от структуры канала тонким слоем изоляционного материала. Уменьшая размеры транзисторов, производители чипов столкнулись с тем, что при уменьшении толщины изоляционного слоя ниже 1 нанометра резко возрастает ток утечки транзистора, ток, текущий через канал, когда транзистор находится в закрытом состоянии. Решить эту проблему можно путем замены оксидного изолирующего слоя слоем другого материала, свойства которого позволят во много снизить токи утечки. И над поисками таких материалов работает группа исследователей из Стэнфордского университета, эксперименты которых привели к получению весьма необычных результатов.