Ученые Национальной лаборатории нано-устройств (National Nano Device Laboratories), являющейся государственной организацией, разработали новую технологию изготовления полупроводников, благодаря которой им удалось изготовить опытные образцы микрочипов, имеющих самую большую плотность размещения элементов в настоящее время. На приведенном снимке показано условное расположение шести микротранзисторов, размещенных на площади 300 на 130 нанометров.

Таким образом, помимо малых габаритов самих полупроводниковых компонентов, в новой технологии были достигнуты значения длины промежутков между элементами, равные 16 нанометрам. Стоит ли упоминать о том, что сокращение этих расстояний, помимо уменьшения и удешевления самих микросхем, положительно влияет на потребляемую этими микросхемами мощность и увеличивает их производительность. Конечно, до того момента, когда эта технология сможет «выйти в массы», пройдет еще некоторое, и, может быть, немалое время. Но если это когда-нибудь произойдет, то на базе таких микросхем появятся сверхлегкие и малопотребляющие электронные устройства, такие как ноутбуки и мобильные телефоны.

Ведущий специалист тайваньской лаборатории, Филд Янг (Field Yang), рассказал: «Эта технология изготовления полупроводников является самой «продвинутой» технологией в настоящее время. Но, учитывая то количество трудностей, с которыми мы столкнулись при ее разработке, можно предположить, что 16 нанометров – это та граница, в которую может упереться все дальнейшее совершенствование полупроводниковых технологий».