P-n переход является в настоящее время базовым элементом, на котором держится вся электроника. Состоящий из двух слоев кремния, легированных специальными материалами, придающих этим слоям разнополярные свойства, p-n переход требует для его преодоления электрическим током затрат энергии, которая в прямом виде выделяется в виде тепла. В последнее время все чаще и чаще появляется информация о том, что вероятно, в ближайшее время развитие электроники перестанет подчиняться
закону Гордона Мура из-за технологических трудностей, связанных именно с технологией производства кремниевых полупроводников на базе p-n переходов. Но, группе ирландских ученых из Национального института Тиндалля удалось разработать и создать первый образец беспереходного транзистора, изготовленного по технологии, представляющей собой слияние нанотехнологий и полупроводниковых технологий.