Вполне вероятно, что уже в недалеком будущем, уезжая из дома на срок в две-три недели, Вы уже не будете брать с собой зарядное устройство для вашего мобильного телефона. Это станет возможным благодаря новой технологии изготовления микрочипов, которые будут потреблять в тридцать раз меньше энергии и функционировать в семь раз быстрее, чем самые лучшие образцы ныне существующих технологий. Эта новейшая технология, названная PCMOS (probabilistic complementary metal-oxide semiconductor), явилась результатом длительной работы команды ученых, в которую входили ученые из США (Rice University) и Сингапура (Nanyang Technological University).

Вполне возможно, что уже в ближайшем будущем можно будет смотреть телевизионные передачи через специальные контактные линзы, при этом звуковая и эмоциональная сопровождающие части телевизионной передачи будут передаваться телезрителям с помощью «цифровых татуировок» вживляемых прямо под кожу человека. В нынешнее время уже существует ряд передовых технологий, которые в совокупности могут реализовать эту, поистине фантастическую идею. Стоит только совместить некоторые последние технологии в области микроэлектроники, нанотехнологий и оптики как в результате такого соединения сможет получиться устройство, которое не только будет улучшать человеческое зрение, но и транслировать кинофильмы и телевезионные передачи.

Совместные усилия команды исследователей компания Polyera, штат Иллинойс, США, и их коллег из немецкой фирмы BASF, закончили разработку нового типа чернил, которые имеют свойства полупроводника. Эта разработка является очень важным шагом к началу производства гибкой электроники, сохраняющей свои свойства при механических деформациях. В настоящее время уже есть ряд разработок полупроводниковых чернил, но практически все эти чернила относятся к Р-типу полупроводников, т.е. перенос заряда в этом полупроводнике осуществляется за счет «дырок» в кристаллической решетке. Самым важным в новом типе полупроводниковых чернил является тот факт что они относятся к полупроводникам Р-типа в котором заряд переносится за счет движения электронов. Это, в свою очередь, позволит получать более быстродействующие электронные схемы, значительно снизить потребляемую схемой мощность и повысить надежность электронного узла в целом.

Искаженные и немного размытые фотографии, сделанные с помощью камеры сотового телефона и объемные фотообъективы могут стать частью прошлого благодаря новому гибкому светочувствительному материалу, разработанному в лабораториях университета Висконсина-Мэдисона. Когда фотоаппарат или другое устройство фиксирует изображение, свет проходит сквозь систему линз и фокусируется на поверхности фотодетектора. Однако линза система линз объектива вызывает неравномерное преломление лучей света, вследствие чего происходит неравномерная фокусировка изображения на поверхности фоточувствительного элемента. И чем дальше от точки фокуса, тем более размытым получается изображение. Этот эффект особо сильно проявляется при проведении съемки с малого расстояния, поэтому некоторые таки фотоснимки иногда могут напоминать изображение в кривом зеркале из комнаты смеха.

Ученые из Университета Айдахо (University of Idaho) разработали уникальную новую технологию, которая будет использоваться в будущих полетах НАСА, целью которых будет изучение Земли и взаимодействия Земли и Солнца. Исследовательская группа ученых под предводительством Пен-Шу Е (Pen-Shu Yeh), старшего инженера НАСА, в составе технической группы Университета Айдахо (U-Idaho), группы ученых из Центра Передовой Микроэлектроники (Center for Advanced Microelectronics Biomolecular Research, CAMBR) разработали два вида специализированных высокопроизводительных процессоров для управления процессами космических полетов. Эти процессоры будут использованы при полетах двух готовящихся миссий - Landsat Data Continuity Mission (LDCM) и Magnetospheric Multiscale Mission (MMS).

Известные фирмы-производители электронных компонентов IBM, AMD и Toshiba Corporation совместно разработали новый тип миниатюрной статической памяти SRAM, используемой в настоящее время во всех микропроцессорах. Эта новинка в виде работающего прототипа модуля памяти была анонсирована на международной конференции по электронным устройствам 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, проходившей 15-17 декабря в Сан-Франциско.