Новая архитектура 3D-чипов позволяет устранить узкое место интерфейса процессор-память

Схема их углеродных нанотрубокБудущим процессорам предстоит работа по обработке огромным массивов информации, количество которой растет буквально с каждым днем. Но производительность вычислительных систем, построенных на базе традиционной архитектуры, зависит не только от вычислительной мощности центрального процессора, одним из факторов, ограничивающих производительность системы, является недостаточная ширина полосы пропускания интерфейса между процессором и оперативной памятью. Решением этой проблемы может стать новая архитектура 3D-чипов, разработанная специалистами из Массачусетского технологического института и Стэнфордского университета. Опытный образец чипа с такой архитектурой состоит из несколько слоев, на которых расположены логические схемы и ячейки резистивной памяти, изготовленные из углеродных нанотрубок.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Ученые заставили чипы памяти выступить в качестве процессоров, выполняющих обработку данных

Место для процессора вычислительной системыОдним из узких мест всех современных вычислительных систем является необходимость пересылки данных в микропроцессор для их последующей обработки и обратной пересылки результатов вычислений. Группа ученых их Технологического университета Нанянга, Сингапур, Ахенского университета RWTH, Германия, и Forschungszentrum Juelich, одного из крупнейших исследовательских центров в Европе, нашла способ заставить микросхемы памяти не только хранить данные, но и выполнять вычислительные операции, которые традиционно выполняются процессорами. Такой подход позволит хранить и обрабатывать данные в одном и том же месте, что приведет к росту вычислительной мощности, к увеличению энергоэффективности компьютеров и мобильных вычислительных систем, таких, как смартфоны и планшетные компьютеры.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 4

Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Структура ячейки RRAM памятиРезистивная память с произвольным доступом (Resistive Random-Access Memory, RRAM) рассматривается специалистами в области информационных технологий в качестве наилучшего кандидата на звание компьютерной памяти следующего поколения. Хранение данных в ячейках резистивной памяти осуществляется за счет изменения сопротивления материала, а не электрического заряда. В состав структуры RRAM-ячейки входят два электрода, между которыми зажат слой особого диэлектрического материала, который меняет свое сопротивление в зависимости от полярности и значения электрического потенциала, приложенного к двум электродам. И основной проблемой, с которой сталкиваются исследователи, разрабатывающие различные типы RRAM-памяти, является поиск подходящего диэлектрического материала, свойства которого полностью удовлетворяют множеству жестких критериев.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Кристалл чипа RRAM-памятиОтносительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов энергонезависимой резистивной памяти (Resistive RAM, RRAM), имеющих уникальную запатентованную структуру. Но самым примечательным является не сам факт создания чипов этого достаточно нового типа памяти, а характеристики и скоростные показатели изготовленных чипов. Согласно информации от компании Crossbar, однокристальная схема, размером с почтовую марку, может сохранить терабайт данных и обеспечить доступ к этим данным в 20 раз быстрее, чем это могут обеспечить самые лучшие образцы современной NAND Flash-памяти.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памяти ReRAM.

Чипы памяти компании ElpidaЯпонская компания Elpida Memory, Inc., являющаяся третьим по счету мировым производителем микросхем динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM), объявила о разработке и производстве первых опытных образцов быстродействующей энергонезависимой резистивной памяти (Resistance memory, ReRAM). Опытные образцы, изготовленные с использованием 50-нанометровой технологии, имеют емкость 64 Мбит, показатель плотности хранения информации в этих чипах является самым высоким на сегодняшний день среди модулей памяти ReRAM.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 7