Ученые создали новый тип быстродействующей и эффективной магнитной RAM-памяти

Магнитная памятьИсследователи из Московского физико-технического института (МФТИ), совместно с их коллегами из Института радиотехники и электроники РАН имени Котельникова разработали и изготовили опытные образцы нового типа магнитной компьютерной памяти с произвольным доступом. Использование такой памяти позволит не только снизить количество потребляемой вычислительными системами энергии, ее энергонезависимая природа позволит реализовать функцию мгновенного запуска этих систем в работу после включения.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 6

Создан новый тип универсальной памяти, быстрой, как RAM, и энергонезависимой, как Flash

Компьютерная памятьИсследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) нашли новый способ эффективного управления концентрацией кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А эти пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Компания Sony создала датчик для камер смартфонов, способный снимать со скоростью 960 кадров в секунду

Структурная схема датчикаСпециалисты группы компаний Sony Semiconductor Solutions Corp., Sony Semiconductor Manufacturing Corp. и Sony LSI Design Inc разработали новый тип CMOS-датчика, в структуру которого были включены элементы цифровой обработки сигналов и динамическая память DRAM. За счет такой высокой степени интеграции новый датчик позволяет производить съемку видео с высоким разрешением со скоростью до 960 кадров в секунду, не сильно нагружая при этом центральный процессор, что делает этот датчик идеальным для использования в смартфонах и другой портативной электронике.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 4

Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок

Технология NRAMКомпании Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor подписали соглашение, в рамках которого компания Nantero лицензирует свою технологию NRAM, технологию производства энергонезависимой памяти нового типа NRAM, основным элементом которой являются углеродные нанотрубки. Дальнейшие работы в данном направлении должны привести к разработке линейки коммерческих продуктов, микросхем памяти, изготовленных сначала по 55-нм технологическому процессу, первые экземпляры которых должны появиться на свет уже в 2018 году.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 9

Ученые компании IBM продемонстрировали первые образцы PCM-памяти, способной хранить в одной ячейке три бита данных

Чип PCM памятиВ рамках Международного семинара IEEE по технологиям памяти (IEEE International Memory Workshop), который проходил недавно в Париже, ученые из компании IBM Research продемонстрировали первый в своем роде чип компьютерной памяти, на поверхности которого создана матрица из 64 тысяч ячеек, способных хранить по три бита данных каждая. Такая способность ячеек памяти является следствием использования относительно новой технологии, называемой памятью на основе фазовых переходов (Phase-Change Memory, PCM). Следует отметить, что представленный IBM чип является не первым чипом PCM-памяти на свете, но все, что было сделано ранее, способно было хранить только один бит данных в одной ячейке.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 0

Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти

Ячейка MRAM-памятиВ течение нескольких десятилетий ученые пытались разработать эффективную магнитную память с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM), в которой информация хранится в виде направления намагниченности частички магнитного материала. Так как намагниченность материала может быть изменена с очень большой скоростью, такой тип памяти рассматривается в качестве замены полупроводниковой статической памяти (SRAM) и динамической памяти (DRAM). Однако, при создании ячеек MRAM-памяти различного типа ученые сталкивались с рядом достаточно сложных проблем. Исследовательская группа из университета Тохоку (Tohoku University), возглавляемая профессором Хидео Оно (Hideo Ohno) и адъюнкт-профессором Сюнсукэ Фуками (Shunsuke Fukami), разработала структуру ячеек нового типа магнитной памяти, основанных на эффекте индуцированного спин-орбитального момента (spin-orbit-torque, SOT), который обеспечивает быстрое переключение намагниченности ячейки.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 1

Компании Intel и Micron представляют 3D XPoint - совершенно новый тип памяти

Чипы памяти 3D XPointИзвестные компании Intel и Micron представили вниманию общественности то, что, по их мнению, может совершить "революционный переворот" в современных технологиях хранения информации. Представленная ими технология, имеющая название 3D XPoint, представляет собой технологию нового типа энергонезависимой памяти, которая будет в 1000 раз быстрей, в 1000 раз надежней, нежели современная NAND флэш-память, и будет иметь в 10 раз больший показатель плотности хранения информации, нежели DRAM-память.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Память MRAM, изготовленная по новой технологии, станет заменой всем типам памяти, используемым в современной электронике

ДанныеЕще в 2005 году профессор физики Йохан Окермен (Johan Akerman) пророчил, что магниторезистивная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) является одним из главных кандидатов на роль "универсальной памяти", которая станет заменой различным типам памяти, которые можно обнаружить рядом друг с другом в схемах современных электронных устройств. Команда исследователей из Национального университета Сингапура (National University of Singapore, NUS) и Университета науки и техники Короля Абдуллы (King Abdullah University of Science and Technology, KAUST), Саудовская Аравия, разработала новый тип MRAM-памяти, который может сделать реальностью предвидение профессора Окермена.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2013 году.

МемристорыПрежде чем покупать новый компьютер с SSD-диском или сам SSD-диск, Вам стоит потратить минутку времени и послушать то, о чем рассказывают представители компании Hewlett-Packard. Компания HP планирует через год-полтора выбросить на рынок технологию, будущую конкурировать с флэш-памятью, а к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современный компьютерах в качестве оперативной памяти.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 6

Новый полевой транзистор с плавающим затвором - революция в области компьютерной памяти.

Структура полевого транзистора с плавающим затворомГруппа исследователей Университета штата Северная Каролина разработала новое устройство хранения информации, компьютерной памяти, которая сочетает в себе преимущества большой скорости доступа динамической памяти DRAM и энергонезависимость хранения данных, подобно Flash-памяти. Разработка новой памяти позволит во существенно снизить потребление электроэнергии , что особенно важно в случае малогабаритных мобильных устройств и крупных дата-центров, позволяя отключать части системы во время периодов их бездеятельности без страха потери данных.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 5

IBM разработали новую, быструю память DRAM со сверхвысокой плотностью.

Логотип IBMПодразделение компании IBM, IBM Microelectronics, заявили о том, что они создали новый тип памяти DRAM, которая в настоящее время является самой быстрой и самым большим значением информационной плотности. Новая память изготовлена на базе 32 нм техпроцесса и использует технологию кремний-на-изоляторе (silicon-on-insulator, SOI). Благодаря этому, новые микросхемы показывают прирост производительности более чем на 30%, при этом, расходуя на 40% меньше энергии.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Samsung, Hynix, Silicon Image разрабатывают новый стандарт памяти DRAM.

Samsung, Hynix, Silicon Image разрабатывают новый стандарт памяти DRAM.Ведущие производители микросхем оперативной памяти, среди которых такие известные компании как Hynix, Samsung, LG Electronics и Silicon Image, сформировали консорциум, целю которого будет разработка нового стандарта DRAM-памяти. Этот новый стандарт будет разрабатываться для памяти Serial Port Memory Technology (SPMT), которая будет использоваться на рынке мобильных телефонов и MID-устройств.
 | Опубликовано admin | Подробнее | Комментарии: 1