Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок

Технология NRAMКомпании Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor подписали соглашение, в рамках которого компания Nantero лицензирует свою технологию NRAM, технологию производства энергонезависимой памяти нового типа NRAM, основным элементом которой являются углеродные нанотрубки. Дальнейшие работы в данном направлении должны привести к разработке линейки коммерческих продуктов, микросхем памяти, изготовленных сначала по 55-нм технологическому процессу, первые экземпляры которых должны появиться на свет уже в 2018 году.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 9

Компании Intel и Micron представляют 3D XPoint - совершенно новый тип памяти

Чипы памяти 3D XPointИзвестные компании Intel и Micron представили вниманию общественности то, что, по их мнению, может совершить "революционный переворот" в современных технологиях хранения информации. Представленная ими технология, имеющая название 3D XPoint, представляет собой технологию нового типа энергонезависимой памяти, которая будет в 1000 раз быстрей, в 1000 раз надежней, нежели современная NAND флэш-память, и будет иметь в 10 раз больший показатель плотности хранения информации, нежели DRAM-память.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памятиГруппа, в которую вошли исследователи из японского Национального института науки и передовых технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои (Nagoya University) и ассоциации Low-power Electronics Association & Project (LEAP), создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких, как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле

Чипы V-NAND CTF памяти SamsungЗнатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от используемых технологий Flash-памяти. Теперь, благодаря стараниям компании Samsung, этот ряд дополнился еще двумя аббревиатурами, V-NAND и CTF, которые имеют непосредственное отношение к новым микросхемам "3D Vertical NAND" памяти, массовое производство которых было начато совсем недавно на производственных мощностях компании. Следует заметить, что, создавая новую V-NAND Flash-память, специалисты компании Samsung пытались не только увеличить объемы и другие показатели новых микросхем, их основной целью являлся аккуратный обход большинства проблем и ограничений, с которыми сталкиваются все разработчики Flash-памяти в последнее время.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Микросхемы NAND Flash-памятиСпециалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго поколения NAND Flash-памяти, энергонезависимой памяти, обладающей характеристиками, превосходящими характеристики самых лучших современных образцов подобной памяти., и способной хранить два бита данных в одной ячейке Массовое производство новых микросхем NAND-памяти, изготовленных по 19-нм технологическому процессу и имеющих емкость 64 гигабита, будет начато в самое ближайшее время.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 10

Новая технология компании Toshiba позволит увеличить емкость Flash-памяти почти в два раза.

Кремниевая подложка с чипами памятиКомпания Toshiba, производитель NAND Flash-памяти номер два в мире, первое место принадлежит компании Samsung, собирается в самом ближайшем будущем внедрить новую технологию производства чипов Flash-памяти, плотность записи которой в полтора-два раза будет превышать плотность записи в современны образцах таких микросхем. В настоящее время компания выпускает чипы памяти, изготовленные по технологии, использующей техпроцесс 43 и 32 микрона, новая технология производства будет основана на 25 микронном техпроцессе.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 3

Новая Flash-память от Micron и Intel – три бита информации в одной ячейке.

NAND Flash-памятьПредставители совместного предприятия, созданного Intel и Micron, компании IM Flash Technologies, объявили о разработке новой NAND Flash-памяти, особенностью которой является возможность хранения трех бит информации в одной ячейке. Эта новая память позиционируется как замена обычной Flash-памяти, используемой в картах памяти и USB накопителях. Массовое производство этой памяти уже находится в стадии пусконаладочных работ, первые партии новых чипов будут произведены уже в четвертом квартале этого года.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2