Создан новый тип универсальной памяти, быстрой, как RAM, и энергонезависимой, как Flash

Компьютерная памятьИсследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) нашли новый способ эффективного управления концентрацией кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А эти пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Ученые заставили чипы памяти выступить в качестве процессоров, выполняющих обработку данных

Место для процессора вычислительной системыОдним из узких мест всех современных вычислительных систем является необходимость пересылки данных в микропроцессор для их последующей обработки и обратной пересылки результатов вычислений. Группа ученых их Технологического университета Нанянга, Сингапур, Ахенского университета RWTH, Германия, и Forschungszentrum Juelich, одного из крупнейших исследовательских центров в Европе, нашла способ заставить микросхемы памяти не только хранить данные, но и выполнять вычислительные операции, которые традиционно выполняются процессорами. Такой подход позволит хранить и обрабатывать данные в одном и том же месте, что приведет к росту вычислительной мощности, к увеличению энергоэффективности компьютеров и мобильных вычислительных систем, таких, как смартфоны и планшетные компьютеры.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 4

Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памяти ReRAM.

Чипы памяти компании ElpidaЯпонская компания Elpida Memory, Inc., являющаяся третьим по счету мировым производителем микросхем динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM), объявила о разработке и производстве первых опытных образцов быстродействующей энергонезависимой резистивной памяти (Resistance memory, ReRAM). Опытные образцы, изготовленные с использованием 50-нанометровой технологии, имеют емкость 64 Мбит, показатель плотности хранения информации в этих чипах является самым высоким на сегодняшний день среди модулей памяти ReRAM.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 7

Компания Samsung разработала новую технологию памяти ReRAM, которая может выдержать триллион циклов перезаписи.

Структура новой ReRAM памяти компании SamsungПамять типа Resistive Random Access Memory (ReRAM) впервые была представлена в 1997 году, и в то время открытие нового типа памяти вызвало настоящий ажиотаж в околоэлектронных кругах. Компания Panasonic достаточно долго являлась лидирующей компанией в направлении разработки коммерческих вариантов микросхем памяти, выполненных по технологии ReRAM и множество других компаний вели собственные разработки в этом перспективном направлении. На сей раз компания Samsung перепрыгнула все предыдущие достижения, изобретя дополнительную технологию, которая увеличивает количество циклов перезаписи до одного триллиона.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 1