Ведущие производители микросхем оперативной памяти, среди которых такие известные компании как Hynix, Samsung, LG Electronics и Silicon Image, сформировали консорциум, целю которого будет разработка нового стандарта DRAM-памяти. Этот новый стандарт будет разрабатываться для памяти Serial Port Memory Technology (SPMT), которая будет использоваться на рынке мобильных телефонов и MID-устройств.

Поскольку в последнее время мобильные телефоны все больше и больше по функциям приближаются к портативным компьютерам, новый тип памяти позволит увеличить пропускную способность подсистемы памяти и увеличит масштабируемость свей системы в целом. Такое увеличение функциональности совмещается с малыми габаритами микросхемы памяти, малым количеством ее выводов и низким энергопотреблением, что позволит увеличить время работы аккумуляторных батарей.

По предварительным данным, микросхемы памяти SPMT будут иметь на 40 процентов меньше выводов чем обычные микросхемы и будут обеспечивать пропускную способность шины памяти от 200Mб/с до 12.6Гб/с и выше. При этом память будет работать в одно или многопортовом режиме, что позволит выполнять операции с содержимым памяти в несколько независимых потоков.

Консорциум SPMT LLC собирается лицензировать этот новый стандарт как открытый стандарт, доступный всем заинтересованным разработчикам.



.