Известные фирмы-производители электронных компонентов IBM, AMD и Toshiba Corporation совместно разработали новый тип миниатюрной статической памяти SRAM, используемой в настоящее время во всех микропроцессорах. Эта новинка в виде работающего прототипа модуля памяти была анонсирована на международной конференции по электронным устройствам 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, проходившей 15-17 декабря в Сан-Франциско.

Каждая ячейка нового типа памяти основана на полевых транзисторах, выполненных по технологии fin-shaped Field Effect Transistors (FinFETs) и занимает площадь 0.128 квадратных микрометра, что в два раза меньше чем площадь, занимаемая классической ячейкой на планарных FET-транзисторах - 0.274 квадратных микрометра. Ячейки новой памяти делаются с помощью High-K/Metal Gate (HKMG) технологии, разработанной объединенной группой исследователей для создания оптимального технологического процесса производства новой памяти.

За счет малых габаритов ячеек новой памяти весьма существенно снижено общее потребление энергии и габаритные размеры, встраиваемых в микропроцессоры, модулей памяти. Одновременно с этим достигнуты более высокие, по сравнению с классической SRAM памятью, тактовые частоты, что позволит увеличить пропускную способность будущих модулей.
Все эти преимущества разработанного типа памяти позволят в недалеком будущем создать более быстрые, более компактные микропроцессоры, отличающиеся низким энергопотреблением.

Компании-разработчики собираются в ближайшем времени на основе новой технологии разработать полноценные модули, выполненные по 22нм. технологическому процессу. В дальнейшем возможна разработка технологических процессов, существенно ниже 22 нм, которые сделают ячейку новой памяти еще меньше, еще быстрее и экономичней.



Ключевые слова:


Другие новости по теме:

IBM разработали новую, быструю память DRAM со сверхвысокой плотностью.

На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.

FeTRAM - новый тип энергонезависимой памяти, быстрой и экономичной.

Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

О школе английского языка frog school на петроградской стороне.

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.