Исследователи из университета Пурду разработали совершенно новый тип компьютерной энергонезависимой памяти, которая близка по быстродействию к памяти, которая используется в современных компьютерах, и которая потребляет гораздо меньше энергии, чем устройства на базе флэш-памяти. Технология памяти FeTRAM основана на комбинации кремниевых нанопроводников с сегнетоэлектрическим полимерным материалом, который меняет свою поляризацию при приложении электрического поля соответствующей полярности. Поляризация материала может быть без труда прочитана как 1 и 0, что позволяет хранение информации в двоичном виде.

Новая технология FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory) несколько подобна технологии FeRAM (Ferroelectric Random Access Memories), технологии, которая сейчас используется в некоторых запоминающих устройствах. Однако, в новой технологии используется сегнетоэлектрический транзистор вместо конденсатора, что означает, что информация из ячейки может быть прочитана без разрушения самой информации.



Опытные образцы ячеек памяти FeTRAM, изготовленные в лабораторных условиях, потребляют значительное количество энергии. Ученые объясняют это тем, что структура ячеек еще не оптимизирована, а сами ячейки были изготовлены буквально "на коленях". Но, согласно проведенным расчетам, память FeTRAM будет потреблять только один процент от количества энергии, потребляемой современной флэш-памятью. Но по быстродействию, благодаря своей организации, память FeTRAM будет приближаться к памяти SRAM, используемой сегодня во всех компьютерах. Поэтому новая память имеет неплохой шанс стать заменой обычным типам современной памяти.

Производство памяти FeTRAM может быть легко организовано с применением современных промышленных технологических процессов производства полупроводников (complementary metal oxide semiconductors, CMOS), которые повсеместно используются для производства компьютерных чипов.

В настоящее время ученые, разработавшие память FeTRAM, подали патентную заявку на это изобретение.