Подразделение компании IBM, IBM Microelectronics, заявили о том, что они создали новый тип памяти DRAM, которая в настоящее время является самой быстрой и самым большим значением информационной плотности. Новая память изготовлена на базе 32 нм техпроцесса и использует технологию кремний-на-изоляторе (silicon-on-insulator, SOI). Благодаря этому, новые микросхемы показывают прирост производительности более чем на 30%, при этом, расходуя на 40% меньше энергии.

Испытания тестовых кристаллов показали, что новая память по характеристикам сопоставима с модулями SRAM, выполненными по 15 нм технологии. Новая память имеет время ожидания и цикл чтения меньше чем 2 наносекунды, использует в четыре раза меньше мощности в режиме ожидания и имеет в четыре раза большую информационную плотность, чем кристаллы памяти SRAM, выполненные по технологии 32 нм.

Технология нового типа памяти уже предложена некоторым производителям специализированных микросхем. Одной из первых компаний, которая начала планирование внедрения новой памяти, стала компания ARM, специалисты которой уже начали разработку библиотек программ, с помощью который будет происходить работа их микропроцессоров с новым типом памяти. Так же, в ближайшем будущем новая память будет использоваться в составе серверных платформ производства IBM.

Первые образцы этой памяти будут представлены компанией IBM вниманию общественности Международной конференции по электронным приборам (International Electron Devices meeting), которая состоится в декабре месяце этого года.