Ученые из Института Стандартов и Технологий (Institute of Standards and Technology, NIST) разработали технологию, которая позволяет производить гибкие микросхемы памяти, с использованием недорогих и доступных материалов. У таких микросхем есть широкие области применений, в областях медицины, бытовой и миниатюрной электроники. Новая память построена на технологии, называемой мемристор, которую мы уже освещали на страницах нашего портала (Мемристор + транзистор – первый шаг к самопрограммируемой электронике). Эта технология, разработанная в 2008 году, является относительно новой и перспективной для электроники.

В качестве материала для изготовления гибких ячеек памяти был взят диоксид титана. Вместо дорогостоящего процесса напыления покрытия на полимерную основу ученые использовали жидкие растворы и технологию, подобную печати на струйном принтере. Таким образом, им удалось создать ячейки памяти, для работы которых необходимо напряжение менее 10 вольт. При этом ячейки памяти являются энергонезависимыми и позволяют физическую деформацию без потери электрических характеристик более чем в 4000 раз. Каждая ячейка памяти, по сути, представляет собой мемристор. Мемристор – это электронный прибор, который меняет свое сопротивление, в зависимости от пропущенного через него тока, сохраняя свои характеристики даже после того как прибор был обесточен.

«Мы сделали новый гибкий узел памяти, который продвинет разработку гибкой электронной аппаратуры, будучи достаточно недорогим для применения в аппаратуре массового использования» - рассказал представитель NIST. – «Поскольку в качестве активного материала для производства гибких чипов используется жидкость, существует возможность печатать эти чипы столь же просто и недорого как печать струйным принтером на обычной бумаге или пленке».



Ключевые слова:
Память, Гибкий, Чип, Микросхема, Мемристор, Institute of Standards and Technology, NIST

Другие новости по теме:

Мемристор + транзистор – первый шаг к самопрограммируемой электронике.

Новый тип энергонезависимой памяти - гибкие мемристоры на основе графена.

На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.

Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2013 году.

FeTRAM - новый тип энергонезависимой памяти, быстрой и экономичной.

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.