На прошедшей неделе представители компании Самсунг объявили о том, что компания начала выпуск постоянной памяти нового типа, основанной на использовании эффекта фазовых переходов, phase-change memory (PCM). Таким образом, от открытия этого эффекта, сделанного в 1960 году, до момента практического воплощения прошло 40 лет времени. Каждая ячейка этой памяти представляет собой микроскопический кристалл вещества, который сначала плавится под воздействием электрического тока и, затем, застывает. Магнитные свойства этого застывшего кристалла определяются направлением протекавшего через него электрического тока.

Первые попытки создания такого типа памяти приводили к тому, что микрокристаллы требовали для плавления чрезвычайно высоких температур. В настоящее время, благодаря разработке новых типов магнитных материалов и возможности создания микроскопических структур, стало возможным создание массового производства новой памяти. Но к этому времени на рынке уже прочно закрепилась постоянная память на основе транзисторов, Flash-память.

Но, новый тип памяти обладает гораздо лучшими характеристиками, чем Flash-память. Во-первых, память PCM значительно быстрее. В Ахенском Университете RWTH в Германии, под руководством физика Матиаса Вуттига (Matthias Wuttig), уже разработаны ячейки памяти PCM, время записи и доступа которых составляет 19 наносекунд, для сравнения, типичное время записи ячеек Flash-памяти составляет несколько миллисекунд. Это, в свою очередь означает значительное ускорение скорости загрузки программ и считывания информации, записанной на памяти PCM. Вторым отличием памяти PCM является ее надежность. Ячейки этой памяти не подвержены процессам старения, поэтому такая память имеет практически неограниченное количество циклов записи и неограниченное время хранения информации.

Первые чипы памяти Samsung PCM имеют емкость всего в 512 Мб. Из-за этого, и принимая во внимание тот факт, что на рынке постоянной памяти лидирующее положение в настоящее время занимает Flash-память, некоторые маркетологи считают что компании Самсунг с ее новой памятью придется столкнутся с трудностями, обусловленными жесткой конкуренцией на этом рынке.



Ключевые слова:
Самсунг, Samsung, Память, Фазовый, Переход, Постоянная, Flash, Микросхема, Чип, Производство

Другие новости по теме:

Скорость работы памяти на фазовых переходах достигла рекордного значения.

Новая Flash-память от Micron и Intel – три бита информации в одной ячейке.

На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.

Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памяти ReRAM.

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

https://pedant-bryansk.ru/remont-iphone-7-7plus/zamena-displeya

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.