Представители совместного предприятия, созданного Intel и Micron, компании IM Flash Technologies, объявили о разработке новой NAND Flash-памяти, особенностью которой является возможность хранения трех бит информации в одной ячейке. Эта новая память позиционируется как замена обычной Flash-памяти, используемой в картах памяти и USB накопителях. Массовое производство этой памяти уже находится в стадии пусконаладочных работ, первые партии новых чипов будут произведены уже в четвертом квартале этого года.

Эти микросхемы производятся по технологии 34 нм, в настоящее время они являются самыми эффективными с точки зрения затрат на производство по отношению к объему памяти. Предприятие уже произвело первую опытную партию микросхем емкостью 32 гигабита, которые были отправлены производителям радиоэлектроники в качестве опытных тестовых образцов.

Представители компании IM Flash Technologies сообщают, что в течение этого года они планируют разработать подобную память, но уже на основе техпроцесса 18 нм. Это, по их утверждениям, сделает новую память существенно дешевле, и, следовательно, доступнее для покупателей в виде законченных устройств.