В 2004 году была двумерная пленка из атомов углерода, известная как графен. Благодаря его уникальным физическим, химическим и электрическим свойствам ученые пророчат этому материалу большое будущее в области материаловедения, в области создания гибких прозрачных дисплеев, более емких аккумуляторных батарей и более быстрых малогабаритных электронных устройств. Теперь, исследователи из Манчестерского университета сделали следующий шаг, шаг к замене кремния графеном в чипах компьютерных микросхем. Они создали структуру, состоящую из слоев графена и второго двухслойного материала, нитрида бора, назвав ее "графеновым бигмаком".

Исследователи использовали слои нитрата бора не только, что бы разделить два слоя графена. С помощью этого они изучили то, как ведет себя графен, полностью изолированный от окружающей среды в "капсуле" из другого вещества. Ведь в точно таких условиях будет находиться графен внутри чипов в будущем.

"Создание многослойной структуры позволило нам изолировать графен от отрицательного влияния окружающей среды и управлять электронными свойствами графена с помощью методов, реализация которых была невозможна в обычных условиях" - рассказывает доктор Леонид Пономаренко. - "Мы никогда не видели графен, выступающий в роли электрического изолятора, если он только не был специально обработан. В нашем случае высококачественная графеновая пленка становится идеальным изолятором впервые"

"Графен, заключенный в капсулу из нитрида бора и изолированный от окружающей среды представляет собой наилучшую и самую совершенную платформу для будущей графеновой электроники благодаря тому, что в данном случае в силу вступают новые, ранее неизвестные нам законы физики" - добавил профессор Андрей Гейм, который наряду с профессором Константином Новоселовым был награжден Нобелевской премией в области физики в прошлом году за открытие графена в 2004 году.

"Изоляция графена от окружающей среды решает несколько тяжелых проблем, связанных со стабильностью свойств этого материала, которые ранее нависали подобно грозовым облакам над дорогой графнеа в будущее электроники. Нам удалось реализовать в маленьком масштабе, но все указывает на то, что это без труда может быть сделано и в крупном масштабе" - рассказывает Андрей Гейм. - "Создание транзисторов на основе изолированного графена, имеющих характеристики лучшие, чем достигнутые ныне, является вопросом нескольких месяцев".

Документ, описывающий достижение, сделанное группой ученых, опубликован в журнале Nature Physics под названием "Tunable metal-insulator transition in double-layer graphene heterostructures".