Компании IBM и Samsung создали новые транзисторы, которые станут ключом к технологиям производства субнанометровых чипов

ЧипНа проходившей недавно в Сан-Франциско конференции IEDM представители компаний IBM и Samsung объявили об успешной разработке нового типа транзисторов, которые будут располагаться на поверхности чипа в вертикальном положении. Отметим, что на чипах всех современных процессоров и систем-на-чипе транзисторы располагаются на поверхности в горизонтальной плоскости и в этой же плоскости также протекают электрические токи, от одного участка транзистора к другому. В отличие от этого, компоненты транзисторов VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг к другу, а электрический ток через транзистор течет в вертикальном направлении.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Muon New Small Wheel - новая система датчиков, которая позволит обновленному коллайдеру работать на полную мощность

Датчик NSWМодернизация Большого Адронного Коллайдера под названием High-Luminosity upgrade (HL-LHC) кардинально увеличит количество и темп столкновений протонов в области датчиков эксперимента ATLAS, что даст возможность ученым-физикам исследовать некоторые из самых редких и экзотических явлений и процессов во Вселенной. Однако, такое увеличение мощности коллайдера подразумевает такое повышение уровня радиации и увеличение количества данных с которыми старые датчики эксперимента попросту не смогут справиться. Для решения этой проблемы прямо сейчас на коллайдере ведется сборка и монтаж новой системы датчиков, получившей название Muon New Small Wheel (NSW), которая является результатом десятилетия проектно-конструкторских работ.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 0