Компании IBM и Samsung создали новые транзисторы, которые станут ключом к технологиям производства субнанометровых чипов

Чип


На проходившей недавно в Сан-Франциско конференции IEDM представители компаний IBM и Samsung объявили об успешной разработке нового типа транзисторов, которые будут располагаться на поверхности чипа в вертикальном положении. Отметим, что на чипах всех современных процессоров и систем-на-чипе транзисторы располагаются на поверхности в горизонтальной плоскости и в этой же плоскости также протекают электрические токи, от одного участка транзистора к другому. В отличие от этого, компоненты транзисторов VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг к другу, а электрический ток через транзистор течет в вертикальном направлении.

По представленным данным, транзисторы VTFET имеют два преимущества по сравнению с традиционными транзисторами. Во-первых, при их помощи можно будет продлить сохранение закона Гордона Мура при переходе на субнанометровые технологии производства полупроводниковых чипов. И во-вторых, некоторые особенности конструкции новых транзисторов позволят кардинально сократить количество потраченной впустую энергии, которая обычно превращается в паразитное тепло.

Структура типового VTFET транзистора


Согласно предварительным оценкам процессоры, построенные на базе VTFET транзисторов, будут в два раза быстрей и будут потреблять на 85 процентов меньше энергии, чем процессоры на безе текущих транзисторов FinFET. Смартфоны с процессорами и другими чипами на базе новых транзисторов смогут работать минимум неделю на одном заряде аккумуляторных батарей, а такие задачи, как майнинг криптовалют или суперкомпьютерные вычисления станут менее энергоемкими и будут оказывать меньшее влияние на окружающую среду.

Представители компаний IBM и Samsung пока еще не озвучили планы и сроки коммерциализации их новой разработки. Но можно предположить, что этот процесс не будет затянут надолго, ведь в мире есть и другие компании, пытающиеся перешагнуть 1-нанометровый технологический барьер. К примеру, еще в июле этого года представители Intel объявили о намерении разработки и создания первых чипов масштаба ангстрема к 2024 году. И достигнуть этого рубежа они собираются при помощи новой архитектуры вычислительного узла под названием "Intel 20A" и транзисторов RibbonFET.




Ключевые слова:
IBM, Samsung, Транзистор, VTFET, Конструкция, Ток, Вертикальный, Процесс, Производство, Эффективность

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Компания IBM представила первые в мире чипы, изготовленные по 2-нм технолог ...
  • Компания Samsung начинает выпуск чипов на базе 10-нм технологии FinFET втор ...
  • Новая 5-нм технология компании IBM позволит упаковать 30 миллиардов транзис ...
  • Прогноз Intel - переход к 5-нм технологиям позволит закону Гордона Мура про ...
  • Новые 22 нм. 3D-транзисторы компании Intel обеспечат выполнение закона Горд ...




  • Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.