P-n переход является в настоящее время базовым элементом, на котором держится вся электроника. Состоящий из двух слоев кремния, легированных специальными материалами, придающих этим слоям разнополярные свойства, p-n переход требует для его преодоления электрическим током затрат энергии, которая в прямом виде выделяется в виде тепла. В последнее время все чаще и чаще появляется информация о том, что вероятно, в ближайшее время развитие электроники перестанет подчиняться закону Гордона Мура из-за технологических трудностей, связанных именно с технологией производства кремниевых полупроводников на базе p-n переходов. Но, группе ирландских ученых из Национального института Тиндалля удалось разработать и создать первый образец беспереходного транзистора, изготовленного по технологии, представляющей собой слияние нанотехнологий и полупроводниковых технологий.

Беспереходный транзистор обходит необходимость использования p-n переходов, пропуская электрический ток через кремниевые нанопроводники диаметром всего в несколько атомов. Компонент этого транзистора, названный "обручальное кольцо" (wedding ring), используется для управления силой тока, текущего через этот транзистор, "зажимая" проводник электрическим способом, подобно тому, как можно регулировать поток жидкости, текущей через трубочку, сжимая ее. Архитектура этого беспереходного транзистора достаточно проста, их производство может стать более дешевым, чем производство обычных полупроводниковых транзисторов. Так же в случае беспереходного транзистора практически отсутствуют затраты энергии на его преодоление, что в свою очередь, сведет на нет нагрев полупроводниковых чипов и значительно снизит потребляемую ими мощность.

Конечно, использование кремниевых нанопроводников подразумевает использование совершенно других технологий при производстве полупроводников, чем те, которые используются в настоящее время. И еще неизвестно, станет ли возможной реализация подобной технологии в промышленных масштабах, но, если это получится, то в будущем произойдет революция в архитектуре электронных приборов и микросхем.