Производство микроэлектронных устройств в нынешнее время сталкивается с трудностями обработки и манипулирования полупроводниковыми нанокристаллами, которые используются в производстве микрочипов и других электронных приборов. Эти нанокристаллы, размерами менее 100 мкм., обычно приклеивают к липкой пленке и затем иглой эжектора отделяют их по одному, после этого кристалл всасывается вакуумным пинцетом. Такой технологический процесс требует очень большой точности позиционирования рабочих инструментов, и при любой неточности, кристаллы получают механические повреждения вследствие чего они выходят из строя. Так же традиционный техпроцесс обработки кристаллов малой величины подвергает кристаллы влиянию агрессивных веществ, находящихся в окружающей среде и влиянию статических электрических зарядов, что пагубно влияет на качество производимой продукции.

Для преодоления этих трудностей компания Hitachi Ltd разработала новый вид техпроцесса, который позволит с легкостью манипулировать нанокристаллами размером в 75 мкм. Суть этого техпроцесса состоит в том что в 1 миллилитре специального растворителя создают взвесь из нескольких тысяч полупроводниковых кристаллов. Состав вещества, использующегося в качестве растворителя, подобран таким образом, что обеспечивается равномерное расположение кристаллов во всем объеме раствора за счет поверхностно-активных веществ и сил поверхностного натяжения. Дополнительно, равномерное распределение кристаллов обеспечивается специальным режимом перемешивания раствора.

Из получившегося раствора, с помощью микропипетки, производится извлечение кристаллов, которые поступают на дальнейшую обработку. Такая технология широко применяется в биологии и биомедицине для отделения одной клетки из общей массы. Компания Hitachi только адаптировала существующую технологию, применительно к области производства микроэлектроники.

В отличие от традиционной технологии, новая технология обладает следующими преимуществами:
- полупроводниковые нанокристаллы не получают никаких механических повреждений.
- отсутствует агрессивная среда, пагубно влияющая на качество кристаллов.
- отсутствует статическое электричество, портящее полупроводниковые кристаллы.

Эта новая технология была предоставлена компанией Hitachi на выставке Electronic Components Technology Conference (ECTC) 2009, которая проходила в Сан-Диего, США, в конце мая 2009 года.