Недавно созданный самый тонкий в мире полупроводниковый лазер открывает огромные перспективы в усовершенствовании электронной аппаратуры коммуникационной и информационной областей. Миниатюрные размеры этих лазеров позволят более эффективно интегрировать их в малые электронные узлы, что, в свою очередь, позволит создавать более компактные и быстродействующие устройства.

Как считалось ранее, размер кристаллов полупроводниковых лазеров ограничен так называемым дифракционным пределом – половиной длины волны излучаемого света. В связи с этим, было невозможно создать полупроводниковый лазер, толщина кристалла которого была бы меньше 250 нанометров. Но исследователи из Аризонского Государственного Университета и Технического Университета Эйндховена, Нидерланды, нашли технологию, благодаря которой можно преодолеть этот условный барьер.

Новый полупроводниковый лазер состоит из нескольких слоев различных материалов. Самый толстый слой имеет толщину 80 нанометров и состоит из полупроводникового материала, который, собственно, и излучает поляризованный свет. Этот слой окружен тончайшим диэлектрическим слоем, который изолирует его од металлических слоев толщиной 20 нанометров, состоящих из золота и серебра каждый. Таким образом, ученым удалось создать лазер, толщина которого равна всего лишь одной четвертой части длины волны.

К сожалению, на данный момент времени, такой лазер может функционировать только при низких температурах, но, исследования в этой области еще не закончены, ученые ищут комбинацию используемых материалов, которые позволят им обеспечить работоспособность лазера и в нормальных условиях. Так же ученые планируют создать лазеры, имеющие еще меньшую толщину, чем четверть длины волны.

Создание этого лазера еще раз подтверждает, что для преодоления условных барьеров всегда может найтись соответствующее решение. Эти нанолазеры, в случае успешной разработки промышленной технологии, могут дать начало совершенно новому классу физических исследовательских приборов, медицинских датчиков и устройств, и, самое главное, обеспечить невиданные до сих пор скорости передачи информации в коммуникационных системах, в том числе и внутри чипов центральных процессоров.