Исследователи из Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли (Lawrence Berkeley National Laboratory) сообщили о том, что впервые в истории им удалось сделать непосредственные наблюдения процессов структурных преобразований, происходящих во время фазовых переходов внутри нанокристаллов сульфида меди, одного из полупроводниковых материалов, который, как ожидается, будет играть важную роль в энергетике и электронной промышленности будущего.

В теории, во время фазового перехода, твердый кристалл будет колебаться между структурами, которые он имеет в устойчивом равновесном состоянии, затем при смещении температуры в ту или иную сторону он примет определенное кристаллическое строение или состояние.

Для проверки этой теории исследователи использовали TEAM 0.5, один из самых мощных в мире электронных микроскопов, с помощью которого ученые "просвечивали" кристаллы пучком электронов. Картина, получаемая с помощью электронного микроскопа, показала, что кристаллическая структура нанокристаллов сульфида меди в моменты фазовых переходов колебалась между двумя состояниями, так называемыми low- и high-chalcocite, которые отличаются друг от друга различным строением кристаллической решетки одного и того же твердого материала.

Изучение процессов, происходящих в материалах в момент фазовых переходов, позволит ученым глубже понять, что же именно происходит с ионами электродов во время зарядки и разряда аккумуляторных батарей, или как строение твердых материалов изменяется на границе между электродами и электролитом. Помимо разработки новых типов высокоэффективных аккумуляторных батарей, информация об вышеуказанных процессах, наверняка будет интересна и полезна ученым, работающим над электронными приборами на основе фазовых переходов.

Ключевые слова:
Фазовый, Переход, Структура, Строение, Состояние, Процесс, Электронный, Микроскоп

Первоисточник

Другие новости по теме:

Наночастицы могут стать основой для создания флэш-памяти нового типа.

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Скорость работы памяти на фазовых переходах достигла рекордного значения.

Устройство памяти на основе фазовых переходов отправит в забвение SSD-диски.

Впервые ученым удалось "увидеть" движение электрона в реальном времени.

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.