Новый вид энергоемких материалов, идеально подходящих для использования в флэш-памяти, был обнаружен исследователями из Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли и Калифорнийского университета в Беркли. Эти материалы могут быть использованы для создания нового типа памяти на основе фазовых переходов с произвольным доступом (phase change random access memory, PCM), и, возможно, для создания новых устройств оптического хранения данных.

Проводя эксперименты с крошечными наночастицами из германия, заключенными в оболочки из кремния, исследователи разработали технологию, благодаря которой можно не только переводить частицы из кристаллической в аморфную фазу, но и стабилизировать эти фазы в течение сколь угодно долгого времени. "Фазовые переходы, т.е. переход из кристаллического в аморфное состояние и наоборот, могут быть спровоцированы импульсами электрического тока, длиной в несколько наносекунд или светом лазера, и, так же, комбинацией двух последних методов" - рассказывает Дэрил Крзэн (Daryl Chrzan), ученый-физик, занимающий одновременно посты в обоих вышеупомянутых научных учреждениях.

Конечно, до практической реализации новых типов памяти ученым еще предстоит решить немало проблем, и, основной проблемой является проблема надежности хранения данных. С этой точки зрения ученым еще предстоит выяснить, какое количество фазовых переходов смогут выдержать наночастицы без нанесения ущерба их структуре. Так же еще предстоит решить вопрос о интеграции ячеек памяти с наночастицами в структуру кремниевых чипов и подведение к ним проводников, с помощью которых будут осуществляться управление фазовыми переходами (запись данных) и операции чтения данных.



Ключевые слова:
Наночастица, Германий, Кремний, Фазовый, Переход, Кристаллическое, Аморфное, Состояние, Импульс, Электрический, Ток, Свет, Лазер, Данные, Запись, Чтение, Память, PCM

Первоисточник

Другие новости по теме:

Устройство памяти на основе фазовых переходов отправит в забвение SSD-диски.

Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкурировать с флэш-памятью

Самсунг начал массовое производство памяти на основе эффекта фазовых переходов.

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Компания IBM демонстрирует новую PCM-память, способную хранить в одной ячейке несколько бит данных.

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.