Процесс разработки устройств записи и хранения информации следующего поколения столкнулся с трудностью считывания информации с крошечных магнитных структур, являющихся собственно носителем информации. Недавно группа физиков из Университета Калифорнии, Дэвис, разработала новую методику для снятия наномагнитных «отпечатков» с определенного вида наномагнитных структур, расположенных в электронном устройстве. За прошедшее десятилетие было зафиксировано тысячекратное увеличение плотности записи информации на магнитных носителях. Новая технология может произвести революцию в этой области, увеличив плотность записи до немыслимых в настоящее время значений . Технология использует для хранения информации спин поле атомов, которое создается вращением верхнего слоя электронов. Она позволит создать элемент хранения данных, в котором одна ячейка хранения данных будет занимать площадь размерами 50 на 50 атомов.

Группа ученых под руководством профессора Кай Лью (Kai Liu) сделала опытный образец магнитного материала с внедренными нанодисками из кобальта, которые были соединены медными нанопроводниками. Пропуская ток через эти проводники, ученые, в ходе экспериментов, добивались либо эффекта полного стирания всего массива нанодисков либо записи необходимой информации в определенную ячейку. При этом магнитные свойства этой ячейки менялись настолько, что не составляло большого труда зафиксировать эти изменения. При этом выяснилось, что при воздействии на одну ячейку (нанодиск) магнитными полями различных характеристик можно получить набор различных характеристик собственно ячейки, попросту говоря, одна ячейка может хранить более одной единицы логической информации. Эти получившиеся в результате намагничивания ячеек наборы характеристик ученые назвали шаблонами (наномагнитными «отпечатками»). Учеными был выявлен целый ряд таких шаблонов, позволяющих с достаточной вероятностью и надежностью записывать и считывать необходимые данные.



Внедрение этой технологии в жизнь позволит продлить жизнь устройствам магнитной записи-чтения информации, которые смогут обеспечить намного большую плотность записи, скорость записи данных, быстрее, чем ныне существующие устройства хранения данных, и даже быстрее чем нынешние микросхемы оперативной памяти (RAM). Все это позволит строить системы обработки информации, которые могут оперировать невозможными в нынешнее время объемами информации.