Инженеры-электронщики из университета Вандербилт (Vanderbilt University) разработали все основные компоненты, необходимые для создания микроэлектронных устройств из чрезвычайно тонких алмазных пленок. Естественно, что основой этого всего стал "алмазный" диод и транзистор, на основе которого были созданы более сложные устройства, включая и логические элементы.

Согласно исследованиям алмазные устройства обладают большим потенциалом, благодаря тому, что теоретически они могут работать на более высоких скоростях и потреблять меньше энергии, чем их кремниевые аналоги. Достигается это за счет того, что алмазная технология является гибридной технологией, взявшей только наилучшие качества от старомодных электронных ламп и современной твердотельной электроники.



Самым вероятным будущим применением алмазной электроники является ее использование в военной технике, в космической технике, в датчиках и прочих устройствах, работающих в экстремальных условиях окружающей среды. Алмазные электронные устройства могут работать при высоком уровне радиации, при высоких температурах до 500 градусов Цельсия и при низких температурах до -185 градусов Цельсия.

Элементы алмазных электронных устройств являются настолько маленькими, что из одного карата алмаза можно изготовить более миллиона таких элементов. Но, не волнуйтесь, любители бриллиантов и украшений с алмазами, пленки для алмазных электронных устройств делаются из метана и водорода с использованием химического процесса осаждения из парообразной формы, который широко используется в микроэлектронной промышленности для других целей. Эта форма искусственного алмаза стоит приблизительно в тысячу раз меньше, чем ювелирные алмазы. Поэтому, по стоимости производства алмазные электронные устройства будут вполне сопоставимы с обычными кремниевыми устройствами.