Известные компании Intel и Micron представили вниманию общественности то, что, по их мнению, может совершить "революционный переворот" в современных технологиях хранения информации. Представленная ими технология, имеющая название 3D XPoint, представляет собой технологию нового типа энергонезависимой памяти, которая будет в 1000 раз быстрей, в 1000 раз надежней, нежели современная NAND флэш-память, и будет иметь в 10 раз больший показатель плотности хранения информации, нежели DRAM-память.

Согласно имеющейся информации первые образцы чипов 3D XPoint памяти будут выпущены позже в этом году, но пока нет никакой точной информации касательно дальнейших планов компаний относительно начала масштабного производства чипов памяти нового типа. Однако, представители компаний сообщают, что технологии производства памяти 3D XPoint вполне совместимы с существующими технологическими процессами и стоимость такой памяти в условиях массового производства позволит ее использование даже в устройствах потребительского класса. Следует заметить, что память 3D XPoint является далеко не единственной альтернативой для замены памяти DRAM и Flash-NAND, но другие альтернативные варианты пока еще слишком дороги для того, чтобы составить им конкуренцию.

Из крошек технической информации, которая касается памяти 3D XPoint, известно, что она имеет архитектуру, в которой ячейки памяти, не имеющие в своем составе транзисторов, находятся в точках пресечения шин адреса и данных. В отличие от памяти типа DRAM и Flash-NAND, ячейки памяти 3D XPoint не используют электрических зарядов для хранения данных, в них используется, судя по некоторым предположениям, нечто наподобие мемристоров.

Благодаря новой технологии, информация в каждой ячейке 3D XPoint памяти может быть записана или прочитана при помощи определенного электрического потенциала, приложенного к соответствующим разрядам шины данных и шины адреса. А отсутствие в составе ячейки памяти управляющих транзисторов позволило сократить размеры самой ячейки и увеличить показатель плотности хранения информации.



Опытные образцы памяти 3D XPoint имеют пока двухслойную структуру, которая показана на одном из снимков, но два слоя - это еще не предел, количество слоев в перспективе, можно увеличивать чуть ли не до бесконечности, соответственно увеличивая и плотность хранения информации. Но и уже изготовленные двухслойные чипы памяти имеют емкость в 128 Гб, что превышает плотность коммерческих чипов памяти DDR4, которые имеют емкость до 8 Гб на чип. Тем не менее, такие чипы пока еще проигрывают чипам Flash-NAND компании Micron, которые имеют емкость до 2 Тб на чип.

Еще одним не очень ясным моментом являются скоростные показатели памяти 3D XPoint. Как упоминалось выше, новая память по скорости будет превосходить память Flash-NAND в тысячу раз. Если речь идет о скорости произвольного доступа, то да, это вполне реальный показатель. Но если речь идет о ширине полосы пропускания чипов памяти, то это является, простите, чем-то из разряда научной фантастики.

Представители компаний Intel и Micron утверждают, что 3D XPoint память будет конкурентоспособна по стоимости с памятью DRAM и Flash-NAND. Это очень смелое заявление, но если взять в расчет то, что обе компании являются крупнейшими в мире разработчиками и производителями полупроводниковых приборов и чипов, имеющими немалый опыт, то нам следует дать им некоторый кредит доверия в этом отношении.

Сейчас на белом свете имеются опытные образцы чипов 3D XPoint памяти, а их мелкосерийное производство начнется позже в этом году. Чипы памяти на основе 3D XPoint, которые разрабатываются как специалистами Intel, так и специалистами Micron, начнут поставляться к концу года, но будут доступны лишь ограниченному кругу "избранных" клиентов. Учитывая, что память 3D XPoint быстра как DRAM, но не столь плотна, как NAND, конечный сегмент рынка для продуктов на базе этой памяти еще не полностью ясен. Быстрее всего, первыми на белый свет появятся гибридные устройства хранения информации, в которых будут использоваться большие массивы Flash-NAND и промежуточные массивы из быстрой памяти 3D XPoint.

Однако, в планах компаний значится дальнейшее усовершенствование их продуктов на основе памяти 3D XPoint, после чего она сможет выступить заменой как оперативной памяти, так и постоянной памяти вычислительных систем. Несомненно, что это сможет произвести революцию в области вычислительной техники и вывод на рынок такого продукта можно по праву считать важной вехой на пути развития современных технологий.





Ключевые слова:
Intel, Micron, Flash, NAND, DDR, DRAM, 3D XPoint, Память, Ячейка, Скорость, Транзистор, Плотность

Первоисточник

Другие новости по теме:

Новая Flash-память от Micron и Intel – три бита информации в одной ячейке.

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памяти ReRAM.

Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле

На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.